| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23-3(TO-236-3) |
22360 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23-3(TO-236-3) |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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17年
留言
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ONSOT233SNGL |
6000 |
24+ |
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7年
留言
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onsemiSOT-23-3(TO-236) |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemiSOT-23-3(TO-236) |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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12年
留言
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onsemiTO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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BC859BLT3图片
BC859BLT3G中文资料Alldatasheet PDF
更多BC859BLT3功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BLT3G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
