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BC859CLT1G	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	丝印：4C；Package：SOT-23；General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd
BC859CLT1G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC859CLT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC859CLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC860CW	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP SOT323	恩XP 上传：深圳市森海汇恒科技有限公司	恩XP

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更多BC859CLT1G供应商更新时间2025-8-2 14:13:00