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BC859CLT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BC859CLT1G |
| 参数属性 | BC859CLT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | General Purpose Transistors |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
179.58 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | First Silicon Co., Ltd |
| 企业简称 |
FS |
| 中文名称 | First Silicon Co., Ltd官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 14:29:00 |
| 人工找货 | BC859CLT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC859CLT1G规格书详情
General Purpose Transistors
PNP Silicon
• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating – Human Body Model: >4000 V
– Machine Model: >400 V
• We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
产品属性
- 产品编号：
BC859CLT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
SOT23 |
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