选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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NXPSOT323 |
3000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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PANJIT/强茂SOT-323 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEXPERIA/安世SOT323 |
7906200 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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PANJIT/强茂SOT-323 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦SOT-323 |
3000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦SOT323 |
7906200 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85400 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SOT323 |
1588331 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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NEXPERIA/安世NA |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
360000 |
22+ |
进口原装房间现货实库实数 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT323 |
68900 |
NXP |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦SOT323 |
12000 |
23+ |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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NEXPERIA/安世NA |
5000 |
23+ |
只有原装,欢迎来电咨询! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXPSOT323 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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NEXPERIASOT-323 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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NXPSOT323 |
18800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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NexperiaNA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
留言
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NXPSOT323 |
3000 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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NEXPERIA/安世NA |
680000 |
2019+ |
订货原装进口假一罚十 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦SOT323 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
BC859BW采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC859BW图片
BC859BW中文资料Alldatasheet PDF
更多BC859BW /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BW _R1 _00001制造商:PanJit Touch Screens
BC859BW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BW T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BW,115功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BW,135功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BW_ R2 _00001制造商:PanJit Touch Screens