BC859C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BC859C |
| 参数属性 | BC859C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB |
| 功能描述 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
186.97 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | DIOTEC |
| 中文名称 | 德欧泰克 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 12:15:00 |
| 人工找货 | BC859C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC859C规格书详情
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
• Power dissipation 250 mW
• Plastic case SOT-23
• Weight approx. 0.01 g
• Plastic material has UL classification 94V-0
• Standard packaging taped and reeled
产品属性
- 产品编号：
BC859C,235
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
25+ |
SOT-23 |
96000 |
公司大量原装现货,欢迎来电 |
询价 | ||
恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
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恩XP |
24+ |
SOT-23 |
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恩XP |
25+ |
SOT23 |
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恩XP |
25+ |
SOT23 |
30000 |
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恩XP |
2023+ |
SOT-23 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA |
105000 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SMD |
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现货,原厂原装假一罚十! |
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恩XP |
24+ |
SOT-23 |
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24+ |
SOT23-3 |
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