BC859BW分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BC859BW |
| 参数属性 | BC859BW 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 |
| 功能描述 | PNP Silicon AF Transistors |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
229.98 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-21 23:00:00 |
| 人工找货 | BC859BW价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC859BW规格书详情
• For AF input stages and driver applications
• High current gain
• Low collector-emitter saturation voltage
• Low noise between 30 Hz and 15 kHz
• Complementary types: BC846W, BC847W, BC848W, BC849W, BC850W (NPN)
产品属性
- 产品编号：
BC859BW,135
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SOT-323
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
12000 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
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23+ |
SOT-323 |
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SOT-323 |
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Nexperia/安世 |
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SOT323 |
500000 |
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恩XP |
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SOT323 |
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