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BC859B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号	BC859B
参数属性	BC859B 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
功能描述	PNP Silicon AF Transistors
丝印标识	4BS
封装外壳	SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	218.06 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	INFINEON
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-2-4 19:07:00
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BC859B规格书详情

PNP Silicon AF Transistors

• For AF input stages and driver applications

• High current gain

• Low collector-emitter saturation voltage

• Low noise between 30 Hz and 15 kHz

• Complementary types: BC846, BC847, BC848, BC849, BC850 (NPN)

产品属性

产品编号：
BC859BLT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

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