BC859AW中文资料西门子数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
BC859AW |
| 功能描述 | PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) |
| 文件大小 |
273.23 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Siemens Semiconductor Group |
| 企业简称 |
SIEMENS【西门子】 |
| 中文名称 | 德国西门子股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 22:59:00 |
| 人工找货 | BC859AW价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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BC859AW规格书详情
Features
● For AF input stages and driver applications
● High current gain
● Low collector-emitter saturation voltage
● Low noise between 30 Hz and 15 kHz
● Complementary types: BC 847W, BC 848W, BC 849W, BC 850W (NPN)
产品属性
- 型号：
BC859AW
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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