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BC859B

丝印:4BS;Package:SOT-23;PNP Silicon AF Transistors

PNP Silicon AF Transistors • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BC846, BC847, BC848, BC849, BC850 (NPN)

文件:218.06 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

SMA4F26A

丝印:4BS;Package:DO221-AC;400 W TVS in SMA Flat

Features • Peak pulse power: 400 W (10/1000 μs) and 2.5 kW (8/20 μs) • Flat and thin package: 1 mm • Stand-off voltage range from 5 V to 188 V • Unidirectional type • Low leakage current: 0.2 μA at 25 °C and 1 μA at 85 °C • Operating Tj max: 175 °C • High power capability at Tj max.: up to

文件:655.85 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

4BS8

TWIN TRIODE FOR VKF CASCODE AMPLIFIER APPLICATIONS

TWIN TRIODE FOR VKF CASCODE AMPLIFIER APPLICATIONS

文件:509.96 Kbytes 页数:5 Pages

GEC

通用电气

详细参数

  • 型号:

    4BS

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多4BS供应商 更新时间2025-9-21 22:59:00