| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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恩XPN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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DIOTEC/德欧泰克SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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15年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
41699 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价BC859BW,115即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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Nexperia(安世)SOT-23 |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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NEXPERIATube |
195000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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11年
留言
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恩XPSOT323 |
3000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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12年
留言
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NEXPERIASOT-23-3 |
39000 |
20+ |
原装正品,实单请联系 |
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7年
留言
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恩XPSOT323 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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Nexperia(安世)SOT-23 |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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5年
留言
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恩XPSOT-323 |
3000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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15年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
600000 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价BC859B即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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7年
留言
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恩XP标准封装 |
9548 |
24+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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8年
留言
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NEXPERIA/安世23+ |
510000 |
SOT-23 |
授权代理/原厂FAE技术支持 |
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1年
留言
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恩XPN/A |
20000 |
24+ |
原厂直供原装正品 |
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7年
留言
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恩XPN/A |
16000 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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9年
留言
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KEFAN/科范微TO-92 |
3200 |
09+ |
全新、原装 |
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3年
留言
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RM TECHNOLOGY/瑞美科SOT-23 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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13年
留言
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PHISOT-23 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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13年
留言
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PHISOT-23 |
43200 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
BC859B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC859B,215价格
BC859B,215价格:¥0.0635品牌:恩XP
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BC859B资讯
BC859B 深圳市裕信利电子有限公司
ADI(美国模拟器件)、Atmel(爱特梅尔)、恩XP(恩XP半导体)、 TI(BB德州仪器) 、Maxim(美信)、ST(意法半导体)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)、Micron(美光)、IR(国际整流器)、LT(凌力尔特)、Freescale(飞思卡尔半导体)
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BC859B中文资料Alldatasheet PDF
更多BC859B,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859B-E6327制造商:Siemens 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SOT-23
BC859BE6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANS SOT23 T&R 3K
BC859BLT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BLT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BLT3功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BLT3G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BMTF功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BMTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BTA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

























