选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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PANJIT/强茂SOT23 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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PHILIPS/飞利浦货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOT-23 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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NXPSOT323 |
3000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦SOT323 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦SOT-323 |
3000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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PANJIT/强茂SOT-323 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-323 |
9000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
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Infineon/英飞凌06PB |
163000 |
22+ |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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NEXPERIASOT-23-3 |
39000 |
20+ |
原装正品,实单请联系 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-323 |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)标准封装 |
9548 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-23 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STSOT23 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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NXP(恩智浦)N/A |
6000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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NXPTSSOP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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NexperiaSOT23 |
9100 |
20+ |
全新原装 实单必成 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
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DIODES/美台SOT23 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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BC859B图片
BC859B,215价格
BC859B,215价格:¥0.0635品牌:NXP
生产厂家品牌为NXP的BC859B,215多少钱,想知道BC859B,215价格是多少?参考价:¥0.0635。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BC859B,215批发价格及采购报价,BC859B,215销售排行榜及行情走势,BC859B,215报价。
BC859B资讯
BC859B 深圳市裕信利电子有限公司
ADI(美国模拟器件)、Atmel(爱特梅尔)、NXP(恩智浦半导体)、TI(BB德州仪器)、Maxim(美信)、ST(意法半导体)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)、Micron(美光)、IR(国际整流器)、LT(凌力尔特)、Freescale(飞思卡尔半导体)
BC859B 深圳市裕信利电子有限公司
ADI(美国模拟器件)、Atmel(爱特梅尔)、NXP(恩智浦半导体)、TI(BB德州仪器)、Maxim(美信)、ST(意法半导体)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)、Micron(美光)、IR(国际整流器)、LT(凌力尔特)、Freescale(飞思卡尔半导体)
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更多BC859B _R1 _00001制造商:PanJit Touch Screens
BC859B,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859B_ R2 _00001制造商:PanJit Touch Screens
BC859B215制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP 30V 0.1A SOT23
BC859B-E6327制造商:Siemens 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SOT-23
BC859BE6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANS SOT23 T&R 3K
BC859BLT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BLT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BLT3功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BLT3G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2