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BC859B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号	BC859B
参数属性	BC859B 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
功能描述	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	186.97 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	Diotec
中文名称	德欧泰克
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-19 18:16:00
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BC859B规格书详情

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

• Power dissipation 250 mW

• Plastic case SOT-23

• Weight approx. 0.01 g

• Plastic material has UL classification 94V-0

• Standard packaging taped and reeled

产品属性

产品编号：
BC859BLT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

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