BC859C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BC859C |
参数属性 | BC859C 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB |
功能描述 | General Purpose Transistors |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
922.79 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Yea Shin Technology Co., Ltd |
企业简称 |
YEASHIN【亚昕科技】 |
中文名称 | 亚昕科技股份有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-24 10:59:00 |
人工找货 | BC859C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BC859C规格书详情
General Purpose Transistors
PNP Silicon
• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating
– Human Body Model: >4000 V
– Machine Model: >400 V
• We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
产品属性
- 产品编号:
BC859C,235
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
420 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
23+ |
SOT23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT-23 |
96000 |
公司大量原装现货,欢迎来电 |
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25+23+ |
SOT-23 |
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恩XP |
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SOT-23 |
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Nexperia/安世 |
22+ |
SOT23 |
510000 |
原厂原装正品现货 |
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INFINEON |
24+ |
SOT-23 |
39000 |
新进库存/原装 |
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恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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PHI |
23+ |
SOT-23 |
31000 |
全新原装现货 |
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恩XP |
NA |
16355 |
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