BC859C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BC859C |
| 参数属性 | BC859C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB |
| 功能描述 | PNP general purpose transistors |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
46.38 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
Philips【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-22 23:00:00 |
| 人工找货 | BC859C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC859C规格书详情
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complements: BC849 and BC850.
FEATURES
• Low current (max. 100 mA)
• Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
• Low noise input stages of audio frequency equipment.
产品属性
- 产品编号：
BC859C,235
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
24+ |
标准封装 |
27048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
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NXP |
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SOT23 |
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SOT-23 |
31000 |
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询价 |
