BC859C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BC859C |
| 参数属性 | BC859C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB |
| 功能描述 | PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
271.92 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Siemens Semiconductor Group |
| 企业简称 |
SIEMENS【西门子】 |
| 中文名称 | 德国西门子股份公司官网 |
| 原厂标识 | SIEMENS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找货 | BC859C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC859C规格书详情
特性 Features
● For AF input stages and driver applications
● High current gain
● Low collector-emitter saturation voltage
● Low noise between 30 Hz and 15 kHz
● Complementary types: BC 846, BC 847,
BC 849, BC 850 (NPN)
产品属性
- 产品编号：
BC859C,235
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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