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BC859CMTF	文件：150.03 Kbytes Page：5 Pages	丝印：9DC；Package：SOT-23；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits • Low Noise: BC859, BC860 • Complement to BC846 BC850 文件：150.03 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC859CMTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MRF859	文件：155.82 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：155.82 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF859S	文件：155.82 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：155.82 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
NTE859SM	文件：30.43 Kbytes Page：3 Pages	Integrated Circuit Quad, Low Noise, JFET Input Operational Amplifier Description: The NTE859 (14–Lead DIP) and NTE859SM (SOIC–14 Surface Mount) JFET–input operational amplifiers are low noise amplifiers with low noise input bias, offset currents, and fast slew rate. The low harmonic distortion and low noise make these devices ideally suited as amplifiers for high– 文件：30.43 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE

产品属性

产品编号：
BC859CMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

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