选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NXPSOT23 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT23 |
68900 |
NXP |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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SOT-23NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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NXP/恩智浦SOT23 |
12000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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NXPSOT23 |
2500 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXPSOT23 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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原装NXPSOT23 |
54789 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA/ |
12250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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PHILIPSSOT-23 |
31000 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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SKSOT-23 |
34500 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
18500 |
21+ |
全新原装正品现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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ADISOT-23 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
20000 |
22+ |
原装现货,实单支持 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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NXPSOT23 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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NXPSOT23 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
9000 |
23+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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NXPSOT-23 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
64910 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
BC860A采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC860A图片
BC860A中文资料Alldatasheet PDF
更多BC860A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching and Amplifier Applications
BC860AL功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC860AMTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860AMTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860AR功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BC860AT/R功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BC860ATA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860ATC功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860AW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860A-Z4E功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS