| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemiSOT-23-3 |
11580 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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11年
留言
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恩XPSOT-23 |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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6年
留言
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BCSOT363 |
9987 |
24+ |
公司现货库存,支持实单 |
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10年
留言
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恩XPDIP-4 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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3年
留言
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恩XPSOT23 |
20000 |
22+ |
公司只有原装 品质保证 |
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13年
留言
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恩XPSOT23 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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6年
留言
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ADISOT-23 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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ADISOT-23 |
7000 |
23+ |
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13年
留言
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恩XPSOT23 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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3年
留言
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恩XPSOT23 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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恩XPSOT23 |
2500 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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恩XPSOT-23 |
9000 |
23+ |
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6年
留言
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恩XPSOT-23 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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10年
留言
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SOT-23NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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6年
留言
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恩XPSC-75 |
12866 |
24+ |
公司现货库存,支持实单 |
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6年
留言
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ON-安森美SOT-23.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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10年
留言
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FAIRCHNA |
27000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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7年
留言
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onsemiSOT-23-3 |
11580 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
BC860A采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC860A图片
BC860AMTF中文资料Alldatasheet PDF
更多BC860A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching and Amplifier Applications
BC860AL功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC860AMTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860AMTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860AR功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BC860AT/R功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BC860ATA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860ATC功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860AW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC860A-Z4E功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
































