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BC858C	文件：269.83 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846-BC848) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC858C	文件：97.57 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE65/45/30VoltsPOWER225mW FEATURES •GeneralPurposeAmplifierApplications •NPNEpitaxialSilicon,PlanarDesign •CollectorCurrentIC=-100mA •Complimentary(PNP)Devices:BC846/BC847/BC848/BC849Series •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC858C	文件：202.38 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA). ●Lowvoltage.. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC858C	文件：88.23 Kbytes Page：3 Pages	0.2WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC858C	文件：456.27 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC858C	文件：165.1 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
BC858C	文件：119.84 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC858C	文件：1.0279 Mbytes Page：6 Pages	PNPDualGeneralPurposeTransistors PNPDualGeneralPurposeTransistors PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC858C	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC858C	文件：263.98 Kbytes Page：3 Pages	BC856A FEATURES ●GeneralPurposeTransistorPNPType ●Collectcurrent:-0.1A ●OperatingTemp.:-55°C~+150°C ●RoHScompliantproduct	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
BC858BMTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC858BMTF_Q供应商更新时间2024-4-11 18:15:00

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