BC858BW-G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BC858BW-G |
| 参数属性 | BC858BW-G 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 |
| 功能描述 | Small Signal Transistor |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
151.3 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | COMCHIP |
| 中文名称 | 典琦 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 23:00:00 |
| 人工找货 | BC858BW-G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC858BW-G规格书详情
BC858BW-G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由典琦科技股份有限公司制造生产的BC858BW-G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
-Ideally suited for automatic insertion
-For Switching and AF Amplifier Applications
-Power dissipation
PCM: 0.15W (@TA=25°C)
-Collector current
ICM: -0.1A
-Collector-base voltage
VCBO: BC856W= -80V
BC857W= -50V
BC858W= -30V
-Operating and storage junction temperature
range: TJ, TSTG= -65 to +150°C
产品属性
更多- 产品编号：
BC858BW-G
- 制造商：
Comchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2.2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SOT-323
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOT3233 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
INFINEO |
24+ |
SOT323 |
80000 |
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询价 | ||
Comchip Technology |
25+ |
SC-70 SOT-323 |
9350 |
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INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
NA |
9850 |
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Infineon |
原厂封装 |
9800 |
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INFINEON |
2526+ |
原厂封装 |
12500 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
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30000 |
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INFINEON |
24+ |
SOT323 |
8500 |
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INFINEON/英飞凌 |
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135000 |
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INFINEON |
23+ |
3000 |
7000 |
询价 |
