BC858BW分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
BC858BW |
| 参数属性 | BC858BW 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 |
| 功能描述 | PNP Silicon AF Transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-323 / SC-70,SOT-323 |
| 文件大小 |
887.44 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 16:33:00 |
| 人工找货 | BC858BW价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BC858BW规格书详情
BC858BW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的BC858BW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
BC858BWE6327HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
220 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
250MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
PG-SOT323
- 描述:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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