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BC818-16	文件：130.699 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807,BC808(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC818-16	文件：47.67 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807,BC808(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC818-16	文件：188.12 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation310mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC818-16	文件：174.52 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features GeneralPurposeThreecurrentgaingroupsComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,AmplificationCommercialgradeSuffix-Q:AEC-Q101compliant1)Suffix-AQ:inAEC-Q101qualification1) MechanicalData1) Tapedan	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC818-16	文件：191.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●ForgeneralAFapplication. ●ComplementaryPNPtypeavailableBC808. ●Highcollectorcurrent,highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. APPLICATIONS ●Generalpurposemediumpoweramplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC818-16	文件：242.34 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof0.3WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.5A •Collector-baseVoltage30V •Operatingandstoragejunct	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC818-16	文件：1.05939 Mbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC818-16	文件：303.84 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC818-16	文件：186.07 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
BC818-16	文件：337.81 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONNPNTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBC817andBC818seriesdevicesaresiliconNPNtransistors,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC818-16	文件：102.39 Kbytes Page：2 Pages	ForgeneralAFapplications	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
BC818-16	文件：153.05 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC818-16	文件：161.97 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC818-16	文件：186.07 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
BC818-16	文件：1.08113 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC818-16	文件：102.39 Kbytes Page：2 Pages	ForgeneralAFapplications	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
BC818-16	文件：361.75 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC818-16	文件：276.01 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BC818-16W	文件：864.72 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807,BC808(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC818-16W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:BC807W. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC818-16-DIO供应商更新时间2024-4-28 15:49:00

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