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BC847W	文件：50.18 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSC70;SOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC856WandBC857W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847W	文件：251.07 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighVoltage:BC846WVCEO=65V. •ForComplementaryWithPNPTypeBC856W/857W/858W.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC847W	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847W	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847W	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847W	文件：133.29 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●ForAFinputstagesanddriverapplications. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847W	文件：50.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847W	文件：260.269 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC847W	文件：887.58 Kbytes Page：5 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC847W	文件：898.94 Kbytes Page：5 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
BC847W
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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