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BAS116LT1D	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT1G	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT1G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116RF	文件：68.48 Kbytes Page：2 Pages	225mW SMD Switching Diode FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free) MECHANICAL	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS116T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •VeryLowLeakageCurrent •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T_09	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •VeryLowLeakageCurrent •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116-T1	文件：95.97 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE VeryLowLeakageCurrent HighConductance SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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详细参数

型号：
BAS1
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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