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BAS116LT1	文件：63.43 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode This switching diode has the following features: • Low Leakage Current Applications • Medium Speed Switching Times • Available in 8 mm Tape and Reel Use BAS116LT1 to order the 7 inch/3,000 unit reel Use BAS116LT3 to order the 13 inch/10,000 unit reel 文件：63.43 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116LT1	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features • Low Leakage Current Applications • Medium Speed Switching Times • Available in 8 mm Tape and Reel Use BAS116LT1G to order the 7 inch/3,000 unit reel • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：118.91 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116LT1D	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features • Low Leakage Current Applications • Medium Speed Switching Times • Available in 8 mm Tape and Reel Use BAS116LT1G to order the 7 inch/3,000 unit reel • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：118.91 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116LT1G	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features • Low Leakage Current Applications • Medium Speed Switching Times • Available in 8 mm Tape and Reel Use BAS116LT1G to order the 7 inch/3,000 unit reel • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：118.91 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116LT1G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features • Low Leakage Current Applications • Medium Speed Switching Times • Available in 8 mm Tape and Reel Use BAS116LT1G to order the 7 inch/3,000 unit reel • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：83.2 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features • Low Leakage Current Applications • Medium Speed Switching Times • Available in 8 mm Tape and Reel Use BAS116LT1G to order the 7 inch/3,000 unit reel • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：83.2 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features • Low Leakage Current Applications • Medium Speed Switching Times • Available in 8 mm Tape and Reel Use BAS116LT1G to order the 7 inch/3,000 unit reel • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：118.91 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116RF	文件：68.48 Kbytes Page：2 Pages	225mW SMD Switching Diode FEATURES - Low power loss, high current capability, low VF - Surface device type mounting - Moisture sensitivity level 1 - Matte Tin (Sn) lead finish with Nickel (Ni) under plate - Pb free version and RoHS compliant - Packing code with suffix G means green compound (halogen-free) MECHANICAL 文件：68.48 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
BAS116T	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features • Ultra-Small Surface Mount Package • Very Low Leakage Current • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • Green Device (Notes 3 and 4) 文件：82.22 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features ● Ultra-Small Surface Mount Package ● Very Low Leakage Current ● Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) ● Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：55.06 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Triple
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
350 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
100 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
4 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
200 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0.715 mA
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.5 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
0.5 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
100
TotalCapacitance CT (pF)：
1.5 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
IR(uA) Max @ VR=80V：
0.5
Packages：
SOT563

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更多BAS1供应商更新时间2025-11-24 16:00:00

技术参数

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