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BAS116LT1	文件：57.15 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BAS116LT1D	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT1G	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT1G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116RF	文件：68.48 Kbytes Page：2 Pages	225mW SMD Switching Diode FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free) MECHANICAL	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS116T	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •VeryLowLeakageCurrent •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116T_09	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •VeryLowLeakageCurrent •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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详细参数

型号：
BAS1
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882
功能描述：
DIODE, HIGHS, 100V, 220MA, SOD882; Diode
Type：
Ultrafast Recovery; Forward Current
If(AV)：
215mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm
Max：
100V; Forward Voltage VF
Max：
1.25V; Reverse Recovery Time trr
Max：
4ns; Diode Case
Style：
SOD-882 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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