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BAS116T	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •VeryLowLeakageCurrent •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：248.06 Kbytes Page：11 Pages	Marking：ZY；Package：SC-75；Single low leakage current switching diode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116T_09	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •VeryLowLeakageCurrent •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T-7	文件：56.93 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •SmallSurfaceMountPackage •Ultra-LowReverseLeakageCurrent(5nA@VR=75V) •LowCapacitance •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) MechanicalData •Case:SOD523 •CaseMaterial:MoldedPlastic	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116T-7-F	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •VeryLowLeakageCurrent •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116TT1G	文件：89.48 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116TW	文件：146.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-363plastic	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116T_1	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
BAS116T
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 Diode Std Recovery Rectifier 85V 0.215A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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