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BAS116LT3G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BAS116LT3G |
| 参数属性 | BAS116LT3G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 |
| 功能描述 | Switching Diode |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
118.91 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-13 11:54:00 |
| 人工找货 | BAS116LT3G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BAS116LT3G规格书详情
BAS116LT3G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体制造生产的BAS116LT3G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
特性 Features
• Low Leakage Current Applications
• Medium Speed Switching Times
• Available in 8 mm Tape and Reel
Use BAS116LT1G to order the 7 inch/3,000 unit reel
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
产品属性
更多- 产品编号：
BAS116LT3G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
- 速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
- 不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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