BAS116LS分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BAS116LS |
参数属性 | BAS116LS 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 85V 325MA 2DFN |
功能描述 | Low-leakage diode |
丝印标识 | |
封装外壳 | DFN1006BD-2 / SOD-882 |
文件大小 |
218.95 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 19:03:00 |
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BAS116LS规格书详情
1. General description
Low-leakage diode in an ultra small DFN1006BD-2 (SOD882BD) leadless Surface-Mounted Device
(SMD) plastic package with side-wettable flanks.
2. Features and benefits
• Switching time: max. trr = 3 μs
• Low leakage current: max. IR = 5 nA
• Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 85 V
• Low capacitance typical: Cd = 2 pF
• Ultra small and leadless SMD plastic package
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
3. Applications
• Low-leakage current applications
• General-purpose switching
产品属性
- 产品编号:
BAS116LSYL
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
325mA
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
2pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOD-882
- 供应商器件封装:
DFN1006BD-2
- 工作温度 - 结:
150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 85V 325MA 2DFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
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25000 |
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