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BAS116LT3G	文件：118.91 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：124.04 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LBAS116LT3G	文件：77.18 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountLowLeakgeDiodeUltra-SmallSurfaceMountPackage FEATURE ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ● ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliance withRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicati	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBAS116LT3G	文件：360.17 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountLowLeakgeDiode FEATURE ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliance withRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplications	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NSVBAS116LT3G	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S-LBAS116LT3G	文件：360.17 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountLowLeakgeDiode FEATURE ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliance withRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplications	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

产品属性

产品编号：
BAS116LT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

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