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BAS116V	文件：69.09 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features • Surface Mount Package Ideally Suited for Automated Insertion • Very Low Leakage Current • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Mechanical Data • Case: SOT563 • Case Material: Molded Plastic, “Green” Mo 文件：69.09 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：342.32 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：342.32 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：120.38 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116V-7	文件：69.09 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features • Surface Mount Package Ideally Suited for Automated Insertion • Very Low Leakage Current • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Mechanical Data • Case: SOT563 • Case Material: Molded Plastic, “Green” Mo 文件：69.09 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116VY	文件：203.88 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2J；Package：TSSOP6；Low-leakage triple switching diode 1. General description Epitaxial, medium-speed switching, electrically isolated triple diode in an ultra small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Low leakage current: max. 5 nA • Switching time: typical 0.8 μs • Continuous reverse voltage: maxim 文件：203.88 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116VY-Q	文件：203.46 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2J；Package：TSSOP6；Low-leakage triple switching diode 1. General description Epitaxial, medium-speed switching, electrically isolated triple diode in an ultra small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Low leakage current: max. 5 nA • Switching time: typical 0.8 μs • Continuous reverse voltage: maxim 文件：203.46 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116V_08	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：120.38 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116V_1	文件：342.32 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：342.32 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116V_15	文件：338.6 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：338.6 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116V-7	文件：342.32 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：342.32 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
150 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
85 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
3000 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
215 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
1.1
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.005 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
75 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
85
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=100mA：
1
Packages：
SOT563

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市达恩科技有限公司	BAS116V-7	DiodesZetex	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
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更多BAS116V供应商更新时间2025-10-7 14:16:00

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