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BAS116T-7

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

Features • Small Surface Mount Package • Ultra-Low Reverse Leakage Current (5nA @ VR = 75V) • Low Capacitance • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Mechanical Data • Case: SOD523 • Case Material: Molded Plastic

文件:56.93 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116T-7

Package:SOT-523;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523

PAM

龙鼎微

BAS116T-7-F

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

Features • Ultra-Small Surface Mount Package • Very Low Leakage Current • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • Green Device (Notes 3 and 4)

文件:82.22 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116T-7-F

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:76.66 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116T-7-F

Package:SOT-523;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523

PAM

龙鼎微

BAS116T-7-G

包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 85V SOT523

PAM

龙鼎微

产品属性

  • 产品编号:

    BAS116T-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    215mA

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-523

  • 供应商器件封装:

    SOT-523

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523

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更多BAS116T-7供应商 更新时间2025-10-6 17:04:00