BAS116T分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BAS116T |
| 参数属性 | BAS116T 封装/外壳为SOT-523；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523 |
| 功能描述 | SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| 封装外壳 | SOT-523 |
| 文件大小 |
55.06 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-4 23:00:00 |
| 人工找货 | BAS116T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BAS116T规格书详情
BAS116T属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由美台半导体制造生产的BAS116T二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
特性 Features
● Ultra-Small Surface Mount Package
● Very Low Leakage Current
● Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)
● Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
产品属性
更多- 产品编号：
BAS116T-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
管件
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
215mA
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-523
- 供应商器件封装：
SOT-523
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
76450 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-523 |
100524 |
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询价 | ||
DIODES |
2016+ |
SOT-523 |
3000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT-523 |
36450 |
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DIODES/美台 |
05+ |
SOT363 |
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ON/安森美 |
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SMD |
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DIODESINC |
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DIODES/美台 |
21+ |
SMD |
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