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BAS121A	文件：121.12 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE VOLTAGE 250 Volts POWER 250 mW FEATURES • High Reverse Blocking Voltage • Extremely Low Reverse Leakage Current • Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives MECHANICAL DATA Case : SOT-23, Plastic Terminals : Solderable p 文件：121.12 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BAS121C	文件：121.12 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE VOLTAGE 250 Volts POWER 250 mW FEATURES • High Reverse Blocking Voltage • Extremely Low Reverse Leakage Current • Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives MECHANICAL DATA Case : SOT-23, Plastic Terminals : Solderable p 文件：121.12 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BAS121S	文件：121.12 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE VOLTAGE 250 Volts POWER 250 mW FEATURES • High Reverse Blocking Voltage • Extremely Low Reverse Leakage Current • Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives MECHANICAL DATA Case : SOT-23, Plastic Terminals : Solderable p 文件：121.12 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BAS125	文件：38.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Schottky Diodes Features ● For low-loss, fast-recovery, meter protection,bias isolation and clamping applications ● Integrated diffused guard ring ● Low forward voltage 文件：38.33 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BAS125	文件：104.17 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Schottky Diodes Silicon Schottky Diodes • For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications • Integrated diffused guard ring • Low forward voltage 文件：104.17 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAS125	文件：104.65 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications) Silicon Schottky Diodes ● For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications ● Integrated diffused guard ring ● Low forward voltage 文件：104.65 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BAS125-04	文件：104.65 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications) Silicon Schottky Diodes ● For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications ● Integrated diffused guard ring ● Low forward voltage 文件：104.65 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BAS125-04	文件：38.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Schottky Diodes Features ● For low-loss, fast-recovery, meter protection,bias isolation and clamping applications ● Integrated diffused guard ring ● Low forward voltage 文件：38.33 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BAS125-04W	文件：46.94 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Schottky Diodes Features ● For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping application ● Integrated diffused guard ring ● Low forward voltage 文件：46.94 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BAS125-04W	文件：58.13 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Schottky Diodes Silicon Schottky Diodes ● For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications ● Integrated diffused guard ring ● Low forward voltage 文件：58.13 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Triple
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
350 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
100 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
4 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
200 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0.715 mA
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.5 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
0.5 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
100
TotalCapacitance CT (pF)：
1.5 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
IR(uA) Max @ VR=80V：
0.5
Packages：
SOT563

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技术参数

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