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IRF1405SLPBF	文件：313.75 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRF1405Z	文件：291.64 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=4.9mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1405Z	文件：338.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRF1405ZPBF	文件：401.85 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1405ZS	文件：299.72 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1405ZS	文件：291.64 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=4.9mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1405ZSPBF	文件：812.24 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=4.9m廓,ID=75A) VDSS=55V RDS(on)=4.9mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFBA1405	文件：238.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fas	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFBA1405P	文件：238.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fas	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFBA1405PPBF	文件：153.65 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedruggednessinsingleand	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFP1405	文件：196.42 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP1405PBF	文件：222.97 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
AUIRF1405ZSTRR
功能描述：
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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