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AUIRF6218S	文件：354.48 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：354.48 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF6218S	文件：234.83 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology 文件：234.83 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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AUIRF6218S	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车 Q101 -150V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
-150.0V
ID (@ TC=25°C) max：
-27.0A
ID max：
-19.0A
ID (@ TC=100°C) max：
-19.0A
RDS (on)(@10V) max：
150.0mΩ
QG(typical) ：
71.0nC
Qgd ：
32.0nC
Tj max：
175.0°C
Moisture Sensitivity Level ：
1
Mounting ：
SMD
Polarity ：
P
VGS max：
20.0V

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