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AUIRF4905L	文件：621.06 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power 文件：621.06 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF4905L	文件：267.36 Kbytes Page：14 Pages	Advanced Planar Technology P-Channel MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power 文件：267.36 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
AUIRF4905L	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车 Q101-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

VDS max：
-55.0V
ID (@ TC=25°C) max：
-70.0A
ID (@ TC=100°C) max：
-44.0A
ID max：
-44.0A
RDS (on)(@10V) max：
20.0mΩ
QG(typical) ：
120.0nC
Polarity ：
P
Qgd ：
53.0nC
VGS max：
20.0V
Mounting ：
THT

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