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AUIRF3805L-7P	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF3805S-7P	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF3805S-7PTRL	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF3805S-7PTRR	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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AUIRF3805L-7P	文件：748.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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AUIRF3805S-7P	文件：748.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF3805STRL	文件：388.08 Kbytes Page：15 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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详细参数

型号：
AUIRF3805
功能描述：
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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