AUTOMOTIVE MOSFET

Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and imp

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IRF

N-Channel MOSFET Transistor

文件：334.3 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

采用 TO-247 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET

IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。 • 适用于宽 SOA 的平面单元结构\n• 针对最广泛的可用性进行了优化\n• 符合 JEDEC 的产品认证\n• 针对应用进行了优化的硅片\n• 行业标准通孔电源\n• 高额定电流;

Infineon

英飞凌

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

Advanced Process Technology

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IRF

Advanced Process Technology

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IRF