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BC640TF	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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BD640CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD640CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •F	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CT	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BFP640	文件：1.36937 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor •HighgainlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •IdealforCDMAandWLANapplications •OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor •HighgainlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •IdealforCDMAandWLANapplications •OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BFP640	文件：272.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor •HighgainlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •IdealforCDMAandWLANapplications •OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.88251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640F	文件：1.4354 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BFP640F	文件：190.83 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP640FislinearverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCE=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640FESD	文件：1.64277 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP640FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY640	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY640B	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BLV640	文件：438.86 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling

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产品属性

产品编号：
ATEVK-MXT640T-A
制造商：
Microchip Technology
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估和演示板及套件
包装：
盒
类型：
接口
功能：
触摸屏控制器
使用的 IC/零件：
mXT640T
所含物品：
板
描述：
EVAL BOARD FOR MXT640T

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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