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IXGH60N60	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	HIGHCURRENTMOSIGBT ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGK60N60	文件：95.92 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD,TO-264,TO-268 •NewgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-ondrivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobot	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGN60N60	文件：561.95 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ·Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT ·MOSGateturn-ondrivesimplicity APPLICATIONS ·ACmotorspeedcontrol ·DCservoandrobotdrives ·Uninterruptiblepowersupplies(UPS)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXGN60N60	文件：67.35 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features ●InternationalstandardpackageSOT-227B ●Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation ●Isolationvoltage3000V~ ●Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT ●LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-ondrivesimplicity ●Lowcollector-to-cas	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT60N60	文件：95.92 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD,TO-264,TO-268 •NewgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-ondrivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobot	IXYS IXYS Corporation	IXYS
NGTB60N60SWG	文件：101.18 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NP60N60VDK	文件：442.95 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NST60N60SJ	文件：2.85866 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET60A/600V	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
PS60N60	文件：194.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor-60Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
RLFTPGB60N60CT	文件：435.77 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS Weldingconverters PowerFactorCorrection AirCondition FEATURES Lowgatecharge TrenchFSTechnology, RoHSproduct	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

详细参数

型号：
APT60N60BCSG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多APT60N60BCSG供应商更新时间2025-7-19 14:00:00

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