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IXGK60N60分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGK60N60
厂商型号

IXGK60N60

参数属性

IXGK60N60 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 75A 300W TO264

功能描述

Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IGBT 600V 75A 300W TO264

文件大小

95.92 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-17 20:00:00

IXGK60N60规格书详情

Features

• International standard package JEDEC TO-247 AD, TO-264, TO-268

• New generation HDMOSTM process

• Low VCE(sat) for minimum on-state conduction losses

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)

• Low losses, high efficiency

• High power density

• High power, surface mount package

IXGK60N60属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGK60N60晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXGK60N60

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    8mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/300ns

  • 测试条件:

    480V,60A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264(IXGK)

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO264

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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