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FGH60N60UFDTU	文件：767.23 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconduc tionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HMG60N60A	文件：902.57 Kbytes Page：7 Pages	600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG60N60T	文件：902.57 Kbytes Page：7 Pages	600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IXFH60N60X	文件：171.9 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH60N60X	文件：273.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFL60N60	文件：537.66 Kbytes Page：2 Pages	SingleDieMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN60N60	文件：71.37 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ60N60X	文件：302.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFQ60N60X	文件：171.9 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH60N60	文件：95.92 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD,TO-264,TO-268 •NewgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-ondrivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobot	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
APT60N60BCSG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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