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IXFQ60N60X	文件：171.9 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information 文件：171.9 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFQ60N60X	文件：302.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：302.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFQ60N60X	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道超-超级结MOSFET • 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH60N60	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	HIGH CURRENT MOSIGBT Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：68.56 Kbytes 页数：1 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH60N60	文件：95.92 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-Low VCE(sat) IGBT Features • International standard package JEDEC TO-247 AD, TO-264, TO-268 • New generation HDMOSTM process • Low VCE(sat) for minimum on-state conduction losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot 文件：95.92 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGK60N60	文件：95.92 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-Low VCE(sat) IGBT Features • International standard package JEDEC TO-247 AD, TO-264, TO-268 • New generation HDMOSTM process • Low VCE(sat) for minimum on-state conduction losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot 文件：95.92 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.055
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
60
Gate Charge (nC)：
143
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.14
Configuration：
Single
Package Type：
TO-3P
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
200
Power Dissipation (W)：
890
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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