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IXGK60N60

Ultra-Low VCE(sat) IGBT

Features • International standard package JEDEC TO-247 AD, TO-264, TO-268 • New generation HDMOSTM process • Low VCE(sat) for minimum on-state conduction losses • High current handling capability • MOS Gate turn-on drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot

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IXYS

艾赛斯

IXGK60N60

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

Littelfuse

力特

IXGK60N60

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 75A 300W TO264

IXYS

艾赛斯

IXGK60N60B2D1

HiPerFAST IGBT with Diode

Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to Features • Square RBSOA • High current handling capability • MOS Gate turn-on for drive simplicity • Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) with soft recovery and low IRM Applications • Switch-mode and resonant-mode power supplies • Uninterrup

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IXYS

艾赛斯

IXGK60N60C2D1

HiPerFASTTM IGBT with Diode

C2-Class High Speed IGBTs Features • Very high frequency IGBT and anti-parallel FRED in one package • Square RBSOA • High current handling capability • MOS Gate turn-on for drive simplicity • Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) with soft recovery and low IRM Applications • Switch-

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IXYS

艾赛斯

IXGK60N60B2D1

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

Littelfuse

力特

IXGK60N60C2D1

PT 高频IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

IXGK60N60B2D1

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 75A 500W TO264

IXYS

艾赛斯

IXGK60N60C2D1

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 75A 480W TO264

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGK60N60

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    8mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/300ns

  • 测试条件:

    480V,60A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264(IXGK)

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO264

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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TO264 (IXGK)
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更多IXGK60N60供应商 更新时间2026-2-4 15:30:00