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APT60N60BCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60BCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60SCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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APT60N60SCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60SCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
DAM60N60F	文件：261.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FGA60N60UFD	文件：782.61 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA60N60UFDTU	文件：782.61 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH60N60	文件：488.41 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-FieldStop600V,60A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Maximum	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
APT60N60BCSG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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