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APT60N60BCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET	ADPOW Advanced Power Technology
APT60N60BCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
60N60	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
60N60	文件：67.35 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features ●InternationalstandardpackageSOT-227B ●Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation ●Isolationvoltage3000V~ ●Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT ●LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-ondrivesimplicity ●Lowcollector-to-cas	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
60N60	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
60N60SFD	文件：418.02 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=60A •HighInputImpedance •FastSwitching •RoHSCompliant GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstop IGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
APT60N60BCS	文件：419.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT60N60BCS	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT60N60BCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology
APT60N60SCS	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT60N60SCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology
APT60N60SCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT60N60SCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology
DAM60N60F	文件：261.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
FGA60N60UFD	文件：782.61 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGA60N60UFDTU	文件：782.61 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH60N60	文件：488.41 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-FieldStop600V,60A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Maximum	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FGH60N60SF	文件：647.84 Kbytes Page：8 Pages	600V,60AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconduc tionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH60N60SFD	文件：768.21 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstopGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchnglossesareessential.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH60N60SFDTU	文件：768.21 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstopGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchnglossesareessential.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
APT60N60BCSG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	APT60N60BCSG	Microchip Technology	23+	TO-247 [B]	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	APT60N60BCSG	APT	22+	TO-247	6250	全新原装现货,欢迎询购!!	询价
深圳市博浩通科技有限公司	APT60N60BCSG	Microsemi	23+	MOSFET	7750	全新原装优势	询价
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深圳市近平电子有限公司	APT60N60BCSG	MICROSEMI	6000	面谈	19	TO-247	询价
深圳市纳立科技有限公司	APT60N60BCSG	MSC	三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	APT60N60BCSG	MICROSEMI			638	原装正品	询价
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更多APT60N60BCSG供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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