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RLPGB60N60CT

IGBT

Features 600V,60A VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=60A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription TrenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasSMPS

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣电子唯圣电子有限公司

SSG60N60

85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT

SSDI

Solid States Devices, Inc

SSG60N60N

85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT

SSDI

Solid States Devices, Inc

SSG60N60NDB

85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT

SSDI

Solid States Devices, Inc

SSG60N60NUB

85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT

SSDI

Solid States Devices, Inc

详细参数

  • 型号:

    APT60N60BCSG

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
APT
24+
TO-247
6250
全新原装现货,欢迎询购!!
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更多APT60N60BCSG供应商 更新时间2025-7-21 10:48:00