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HMG60N60T	文件：902.57 Kbytes Page：7 Pages	600V insulated gate bipolar transistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
60N60	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
60N60	文件：67.35 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features ●InternationalstandardpackageSOT-227B ●Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation ●Isolationvoltage3000V~ ●Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT ●LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-ondrivesimplicity ●Lowcollector-to-cas	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
60N60	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
60N60SFD	文件：418.02 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=60A •HighInputImpedance •FastSwitching •RoHSCompliant GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstop IGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
APT60N60BCS	文件：419.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT60N60BCS	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60BCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60BCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60BCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60SCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60SCS	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60SCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60SCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
DAM60N60F	文件：261.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FGA60N60UFD	文件：782.61 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA60N60UFDTU	文件：782.61 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH60N60	文件：488.41 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-FieldStop600V,60A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Maximum	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH60N60SF	文件：647.84 Kbytes Page：8 Pages	600V,60AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconduc tionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH60N60SFD	文件：768.21 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstopGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchnglossesareessential.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HMG60N60T供应商更新时间2024-5-31 15:29:00

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