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IXGT60N60	文件：95.92 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-Low VCE(sat) IGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD,TO-264,TO-268 •NewgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-ondrivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobot	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT60N60	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 300W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT60N60B2	文件：579.55 Kbytes Page：5 Pages	Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto100KHzresonantswitching Features MediumfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-mo	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT60N60C2	文件：584.07 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs HiPerFAST™IGBTC2-ClassHighSpeedIGBTs Features VeryhighfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-modeandresonant-modepowersuppl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT60N60C3D1	文件：243.8 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 600V IGBTs with Diode HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features •OptimizedforLowSwitchingLosses •SquareRBSOA •HighAvalancheCapability •Anti-ParallelUltraFastDiode •InternationalStandardPackages Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement Applications •HighFreque	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT60N60B2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 500W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT60N60C2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 480W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
60N60	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
60N60	文件：67.35 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features ●InternationalstandardpackageSOT-227B ●Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation ●Isolationvoltage3000V~ ●Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT ●LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-ondrivesimplicity ●Lowcollector-to-cas	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
60N60	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
60N60SFD	文件：418.02 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=60A •HighInputImpedance •FastSwitching •RoHSCompliant GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstop IGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
APT60N60BCS	文件：419.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT60N60BCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60BCS	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60BCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60BCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60SCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT60N60SCS	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60SCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT60N60SCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

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产品属性

产品编号：
IXGT60N60
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，60A
开关能量：
8mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/300ns
测试条件：
480V，60A，2.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 600V 75A 300W TO268

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXGT60N60供应商更新时间2024-5-27 10:00:00

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