首页>IXGT60N60B2>规格书详情

IXGT60N60B2分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGT60N60B2
厂商型号

IXGT60N60B2

参数属性

IXGT60N60B2 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 75A 500W TO268

功能描述

Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
IGBT 600V 75A 500W TO268

文件大小

579.55 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-9-23 10:50:00

IXGT60N60B2规格书详情

Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching

Features

Medium frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

PFC circuits

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

IXGT60N60B2属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXGT60N60B2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGT60N60B2

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    28ns/160ns

  • 测试条件:

    400V,50A,3.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

  • 供应商器件封装:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 500W TO268

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
询价
IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原装,支持实单
询价
IXYS
22+
TO268
9000
原厂渠道,现货配单
询价
IXYS/艾赛斯
24+
TO268
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
IXYS
23+
TO-268
10657
全新原装
询价
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
IXYS
TO-268
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
询价
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
10000
公司只做原装正品
询价
24+
N/A
62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价