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IXGT39N60BD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXGT39N60BD1 |
| 参数属性 | IXGT39N60BD1 封装/外壳为TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 76A 200W TO268 |
| 功能描述 | HiPerFAST IGBT |
| 封装外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
| 文件大小 |
154.31 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | IXYS |
| 中文名称 | 艾赛斯 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 22:30:00 |
| 人工找货 | IXGT39N60BD1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXGT39N60BD1规格书详情
IXGT39N60BD1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGT39N60BD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IXGT39N60BD1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，39A
- 开关能量：
4mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/250ns
- 测试条件：
480V，39A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
- 供应商器件封装：
TO-268AA
- 描述：
IGBT 600V 76A 200W TO268
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-268 |
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IXYS |
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IXYS |
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TO-268 |
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