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IXGT32N120A3分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
![IXGT32N120A3](https://img.114ic.com/dgk/Photos/IXYS%20Photos/TO-268.jpg)
厂商型号 |
IXGT32N120A3 |
参数属性 | IXGT32N120A3 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 75A 300W TO268 |
功能描述 | GenX3 1200V |
文件大小 |
202.31 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-15 9:04:00 |
IXGT32N120A3规格书详情
IXGT32N120A3属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGT32N120A3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IXGT32N120A3
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.35V @ 15V,32A
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
- 供应商器件封装:
TO-268AA
- 描述:
IGBT 1200V 75A 300W TO268
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
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7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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