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IXGT30N60C2分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IXGT30N60C2 |
参数属性 | IXGT30N60C2 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 70A 190W TO268 |
功能描述 | HiPerFAST IGBT |
文件大小 |
589.16 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-21 17:24:00 |
IXGT30N60C2规格书详情
C2-Class High Speed IGBTs
Features
Very high frequency IGBT
Square RBSOA
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
IXGT30N60C2属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXGT30N60C2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
IXGT30N60C2
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,24A
- 开关能量:
290µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
13ns/70ns
- 测试条件:
400V,24A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
- 供应商器件封装:
TO-268AA
- 描述:
IGBT 600V 70A 190W TO268
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
21+ |
TO268 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268 |
90000 |
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IXYS |
10+ |
TO-268 |
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TO-268 |
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IXYS |
22+ |
TO268 |
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原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
08+(pbfree) |
TO-268 |
8866 |
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IXYS/艾赛斯 |
21+ |
65200 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-268 |
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IXYS |
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TO-268 |
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