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IXGT31N60D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGT31N60D1
厂商型号

IXGT31N60D1

参数属性

IXGT31N60D1 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 60A 150W TO268

功能描述

Ultra-Low V IGBT with Diode
IGBT 600V 60A 150W TO268

文件大小

57.32 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 15:18:00

IXGT31N60D1规格书详情

Features

• IGBT and anti-parallel FRED in one package

• Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses

• MOS Gate turn-on - drive simplicity

• Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low IRM

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

• Space savings (two devices in one package)

• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)

• Reduces assembly time and cost

• High power density

IXGT31N60D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGT31N60D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXGT31N60D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,31A

  • 开关能量:

    6mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/400ns

  • 测试条件:

    480V,31A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

  • 供应商器件封装:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 150W TO268

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS-艾赛斯
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TO-268
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